特許

J-GLOBAL ID：200903003157644992

成膜装置及び成膜方法

発明者： 山崎 舜平 ,  小沼 利光 ,  西 毅
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323018
公開番号（公開出願番号）：特開2002-206163
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高純度化したEL材料を用いてEL層を形成することができる成膜装置を提供する。【解決手段】 本発明における成膜装置は、成膜直前に純粋なEL材料の昇華温度を利用してEL材料の昇華精製を行い、EL材料に含まれる酸素、水およびその他の不純物を除去すると共に、昇華精製により得られたEL材料(高純度EL材料)をそのまま蒸発源として用いて成膜を行うことができるという機能を有する成膜装置。

請求項（抜粋）：

材料を加熱する温度調節手段を複数有し、昇華精製した材料を成膜する成膜室を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 14/24 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

C23C 14/24 S ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (14件)：

3K007AB01 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 昇華精製方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-272147   出願人：新日鐵化学株式会社, 大阪油化工業株式会社
• 蒸発源および蒸発源を備えた真空処理室、有機化合物膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262319   出願人：日本真空技術株式会社