特許
J-GLOBAL ID:200903003158805337
銅電気めっき液、銅電気めっき用前処理液及び銅電気めっき方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小越 勇 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-042158
公開番号(公開出願番号):特開2001-271196
出願日: 2000年02月21日
公開日(公表日): 2001年10月02日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェハー上に形成された配線(LSI)パターンの微細なビアあるいはトレンチの埋め込みに際し、電気めっき液中に銅溶解抑制成分を加えるか、又は銅溶解抑制成分を含む液で前処理することにより、カバレッジの悪い銅シード層の溶解を抑制し、ボイドやシーム等の欠陥の発生を防止することができる電気めっき液及び方法の開発を課題とする。【解決手段】 半導体ウェハー上に形成された配線(LSI)パターンの微細なビアあるいはトレンチの埋め込みに際し、アゾール又はシランカップリング剤を含有する銅電気めっき液を用いてめっきするか、又はアゾール又はシランカップリング剤を含有する銅電気めっき用前処理液に浸漬した後銅電気めっきする。
請求項(抜粋):
アゾール又はシランカップリング剤を含有することを特徴とする銅電気めっき液。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (15件):
4K023AA19
, 4K023BA06
, 4K023CB07
, 4K023CB19
, 4K023CB28
, 4K023CB33
, 4K023CB36
, 4K023DA06
, 4K023DA07
, 4K023DA08
, 4K024AA09
, 4K024BB12
, 4K024CA02
, 4K024CA04
, 4K024CA06
引用特許:
審査官引用 (15件)
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半導体ウエハのめっき方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-168160
出願人:日本電装株式会社
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特許第2678701号
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特許第2678701号
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特開昭51-021529
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特開昭51-021529
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特開昭50-104143
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特開昭50-104143
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特公昭41-020805
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特公昭41-020805
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酸性銅めっき浴及びこれを使用するめっき方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-308063
出願人:奥野製薬工業株式会社
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特公平6-074514
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特公平6-074514
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特公平3-040113
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特公平3-040113
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非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-121311
出願人:奥野製薬工業株式会社
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