特許
J-GLOBAL ID：200903003170228795
超電導体、超電導磁場発生素子、超電導磁場発生装置および核磁気共鳴装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-207857
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034692
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【課題】本発明は、着磁により円筒状の超電導体の中空部に、補正可能な均一な磁場を捕捉する超電導体と、補正可能な均一な磁場を形成する超電導磁場発生素子と、高い磁場均一性を有する超電導磁場発生装置と、高精度の分析が可能なコンパクトな核磁気共鳴装置を提供することを課題とする。【解決手段】印加磁場の乱れに対する超電導体自身や周辺部材の影響を磁場解析により求め、それらの最適条件を選択することにより、超電導体の中央領域における捕捉される磁場の均一度を10ppm以下にする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
印加される磁場を中空部に捕捉する中空円筒状の超電導体であって、
前記中空部の中心軸方向を横軸、磁場強度を縦軸として、磁場を印加しているときの該中空部における前記横軸方向の磁場強度の分布が、前記超電導体の長さの略半分の位置で、略平ら又は下に凸であることを特徴とする超電導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F5/08 B
, G01N24/06 510C
出願人引用 (3件)
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特開11-335120号公報
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特許第389094号公報
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核磁気共鳴装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-191007
出願人：理化学研究所, アイシン精機株式会社
審査官引用 (8件)
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