特許
J-GLOBAL ID：200903017475666190

酸化物超電導複合体及びその作製方法

発明者：
長嶋 賢

長嶋 賢 について

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坂井 直道

坂井 直道 について

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劉 相任

劉 相任 について

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藤本 浩之

藤本 浩之 について

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村上 雅人

村上 雅人 について


出願人/特許権者：
財団法人国際超電導産業技術研究センター

財団法人国際超電導産業技術研究センター について

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財団法人鉄道総合技術研究所

財団法人鉄道総合技術研究所 について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065596
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255333
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：
【要約】【課題】 強い磁場を発生することが可能な技術を提供する。【解決手段】 RE-Ba-Cu-O(REは希土類元素を示す)系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも2種類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体である。また、RE-Ba-Cu-O(REは希土類元素を示す)系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも2種類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体であって、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成したものである。
請求項（抜粋）：
RE-Ba-Cu-O(REは希土類元素を示す)系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも2種類以上の超電導バルク体からなることを特徴とする酸化物超電導複合体。
IPC (5件)：
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/00 ZAA
FI (5件)：
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/00 ZAA A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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