特許
J-GLOBAL ID：200903003177131851
残留応力を伴わない電気機械的超小型構造体を含む集積装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031704
公開番号（公開出願番号）：特開2000-233400
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】 残留応力を除去し又は相当に低減し得る超小型集積構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体材料の基板(20)上に犠牲領域(21)を形成し、そしてエピタキシャル層(25)が成長し、その後、電気機械的超小型集積構造体が形成されるエピタキシャル層(25)の領域(33)を囲んで応力解放溝(31)が形成され、その後、残留応力を解放するために、ウェハ(28)が熱処理される。引き続いて、応力解放溝(31)に誘電体材料のシール領域が充填され、そして集積構成素子が形成される。最後に、シール領域で囲まれた領域の内側に超小型構造体を画定する溝が形成され、その後、犠牲領域が除去され、そして、残留応力のない超小型集積構造体が形成される。
請求項（抜粋）：
基板(20,40)及び作動層(25,42)を含む半導体材料のウェハ(28)を形成する工程と、前記作動層の領域において電気機械的超小型構造体(36,47)を形成する工程とを有する電気機械的超小型構造体を含む集積装置の製造方法において、電気機械的超小型構造体を形成する前記工程の前に、応力解放溝(31,43)を形成する工程と、前記作動層(25,42)の前記領域(33)を包囲する工程と、前記領域(33)を熱処理する工程とが実施されることを特徴とする電気機械的超小型構造体を含む集積装置の製造方法。
引用特許：
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