特許
J-GLOBAL ID:200903003181466221
アライメントマーク、半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西教 圭一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-311069
公開番号(公開出願番号):特開2002-118055
出願日: 2000年10月11日
公開日(公表日): 2002年04月19日
要約:
【要約】【課題】 所望のアライメント精度を出すことができるアライメントマークと、前記アライメントマークを用いる半導体装置の製造方法とを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体装置21の基板22の素子25が形成される第1面23から、第1面23の裏面である第2面24にわたって貫通する貫通孔26に、樹脂27としてベンゾシクロブテンを充填させて、樹脂27を第2面24から突出させることによって、第2面24に露出する貫通孔26をアライメントマーク28として用いる。これによって、肉眼によるアライメントを容易に行うことができるとともに、アライメント精度も向上する。
請求項(抜粋):
基板の第1面、および第1面の裏面である第2面に素子が形成される半導体装置に設けられるアライメントマークにおいて、第1面から第2面に貫通した貫通孔に、第2面から露出するように第1面から充填物が充填されたことを特徴とするアライメントマーク。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F 9/00 H
, H01L 21/30 502 M
Fターム (7件):
5F046AA20
, 5F046EA02
, 5F046EA21
, 5F046EA22
, 5F046EA23
, 5F046EA26
, 5F046EB01
引用特許:
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