特許
J-GLOBAL ID:200903003195005146

光センサ内蔵表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-265323
公開番号(公開出願番号):特開2009-093050
出願日: 2007年10月11日
公開日(公表日): 2009年04月30日
要約:
【課題】外光やバックライト光による誤動作がなく、低コストで安定な光センサ内蔵表示装置を作製する。【解決手段】光センサ内蔵表示装置のアレイ基板に於ける単位画素は、ガラス基板1上に形成された画素スイッチング用薄膜トランジスタ及び光検出用薄膜トランジスタと、画素スイッチング用薄膜トランジスタによって制御される画素電極9とを含んでいる。画素スイッチング用薄膜トランジスタ及び光検出用薄膜トランジスタの各々のチャネル層は、共に、近赤外光の波長帯域に感度を有する微結晶シリコン膜4と、外光の可視光に対して感度を有するノンドープ非晶質シリコン膜23との2層構造から成る。【選択図】図1
請求項(抜粋):
単位画素をマトリクス状に配置したアレイ基板を具備した光センサ内蔵表示装置であって、 前記単位画素は、 透明基板上に形成されたスイッチング用薄膜トランジスタと、 前記透明基板上に形成された光検出用薄膜トランジスタと、 前記スイッチング用薄膜トランジスタによって制御される画素電極とを含んでおり、 前記スイッチング用薄膜トランジスタ及び前記光検出用薄膜トランジスタの各々のチャネル層は、共に、微結晶シリコン膜及び前記微結晶シリコン膜上に形成された非晶質シリコン膜から成ることを特徴とする、 光センサ内蔵表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  G09F 9/30
FI (4件):
G02F1/1368 ,  G02F1/133 580 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 349Z
Fターム (21件):
2H092GA12 ,  2H092JA24 ,  2H092NA12 ,  2H092NA30 ,  2H093NC52 ,  2H093NC53 ,  2H093NC54 ,  2H093NC55 ,  2H093NC56 ,  2H093ND05 ,  5C094AA11 ,  5C094AA21 ,  5C094AA44 ,  5C094AA51 ,  5C094BA03 ,  5C094BA05 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA20 ,  5C094DB04 ,  5C094EA10
引用特許:
出願人引用 (2件)

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