特許
J-GLOBAL ID：200903003201553274
Au3Cu型結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181115
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021643
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：
【要約】【解決手段】 化学組成式が次式[R1 C1 ]m [M2 B2 ]n [M3 M’](m は0 又は自然数、n=1、R は、Y、Sc、又は希土類元素の1種以上を、M はIVb族、Vb族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素族元素の1種以上を、M'はI 族、II 族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、 アクチノイド元素の1種又は2種以上を、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物)で示されるホウ素炭素系金属間化合物。【効果】この発明に係る金属間化合物は希土類-ニッケル-ホウ素炭化物金属間化合物超伝導体の薄膜化においては、基板材料としての実用化が期待され、更に超伝導薄膜素子としての実用化が期待される。
請求項（抜粋）：
化学組成式が次式[R1 C1 ]m [M2 B2 ]n [M3 M’](m は0 又は自然数、n=1、R は、Y、Sc、又は希土類元素の1種又は2種以上を、M はIVb 族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素の1種以上、M'はI 族、II 族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素の1種又は2種以上で、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物)で示されるAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物。
IPC (5件)：
C22C 19/03
, C01G 1/00
, H01B 12/00 ZAA
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
C22C 19/03 M
, C01G 1/00 S
, H01B 12/00 ZAA
, H01L 39/02 ZAA W
, H01L 39/24 ZAA B
