特許
J-GLOBAL ID：200903003210822911
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-051618
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111411
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 質の高い層状構造酸化物からなる強誘電体薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 目的の層状構造酸化物の各元素の金属アルコキシド、金属カルボキシレート、あるいは金属アセチルアセトネートの混合物を含有する前駆体溶液を適切な溶媒中で合成する工程と、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、あるいは塗布法といった技術を用いて、これらの溶液を導電体、半導体、絶縁体、あるいは複雑な集積回路の基板物質上に付与する工程と、この基板を焼成し上記有機物を前駆体から除去する工程と、熱分解を行い目的の結晶性層状構造酸化物を得る工程とを包含する。
請求項（抜粋）：
化学溶液堆積により基板上に強誘電体層状構造酸化物からなる薄膜を堆積する方法であって、アルコキシド、カルボキシレート、あるいはアセチルアセトネート、またはこれらの組み合わせの形状である層状構造酸化物の金属元素の混合物と、溶媒とを含有する前駆体溶液を調製する工程と、該前駆体溶液を該基板上に付与し、薄膜を形成する工程と、該膜を有する該基板を一定の時間焼成し、該溶媒を該膜から除去する工程と、該膜を有する該基板を加熱し、結晶性薄膜層状構造酸化物を形成する工程と、を包含する方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C01G 1/02
, C30B 29/30
, G02F 1/05 501
, G02F 1/11 501
