半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026845
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223561
出願日： 1997年02月10日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】安定した電気的特性を得ることのできる半導体装置の製造方法を実現すること。【解決手段】半導体基板上に所定の絶縁膜を被覆して、所定の不純物が導入された多結晶シリコン膜を形成する第1の工程と、前記多結晶シリコン膜上に、チタンシリサイド合金ターゲットを用いたスパッタ法により非晶質チタンシリサイド膜を形成する第2の工程と、熱処理によって前記チタンシリサイド膜を結晶化し、これをパターニングして電極を形成する第3の工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に所定の絶縁膜を被覆して、所定の不純物が導入された多結晶シリコン膜を形成する第1の工程と、前記多結晶シリコン膜上に、チタンシリサイド合金ターゲットを用いたスパッタ法により非晶質チタンシリサイド膜を形成する第2の工程と、熱処理によって前記チタンシリサイド膜を結晶化し、これをパターニングして電極を形成する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 21/88 Q , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-065952 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-122165
特開昭61-174745

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