特許
J-GLOBAL ID:200903003226565560
硬磁性薄膜ならびに交換スプリング磁石およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-075734
公開番号(公開出願番号):特開平9-266113
出願日: 1996年03月29日
公開日(公表日): 1997年10月07日
要約:
【要約】【課題】 大きな磁化を持つことで大きな最大エネルギ-積を有する優れた硬磁性薄膜ならびに希土類系交換スプリング磁石およびその製造方法を提供するものである。【解決手段】 硬磁性層と軟磁性層とが交換結合した複合構造からなり、厚さ1nm〜700nmの硬磁性層と厚さ1nm〜700nmの軟磁性層とが交互に積層された積層膜である硬磁性薄膜。
請求項(抜粋):
硬磁性層と軟磁性層とが交換結合した複合構造からなり、厚さ1nm〜700nmの硬磁性層と厚さ1nm〜700nmの軟磁性層とが交互に積層された積層膜であることを特徴とする硬磁性薄膜。
IPC (4件):
H01F 10/08
, C22C 38/00 303
, H01F 1/147
, H01F 41/22
FI (4件):
H01F 10/08
, C22C 38/00 303 D
, H01F 41/22
, H01F 1/14 B
引用特許:
審査官引用 (5件)
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膜磁石及びその形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-345707
出願人:株式会社安川電機
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特開平4-219912
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膜状希土類磁石の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-269850
出願人:愛知製鋼株式会社
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