プラズマ強化化学処理反応装置とその方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180459
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167762
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【目的】プラズマ強化化学処理反応装置とその方法の提供。【構成】反応装置は第一のガス注入マニホールドと、電磁エネルギー源とを含むプラズマ室を有する。プラズマ室はウエーハ支持台と、第二のガスマニホールドを有する処理室に通じている。プラズマ室で生成したプラズマは、処理室へと拡散し、反応ガスと反応してウエーハ上に材料層を堆積する。反応装置はまた反応装置を排気するための真空装置を有する。方法はプラズマ室中でプラズマを生成し、少なくとも一種のガス状化学物質をウエーハ支持台の近傍の処理室内に導入し、ウエーハ支持台の近傍の領域にプラズマの拡散を誘導するためにRF勾配を印加する工程を含む。

請求項（抜粋）：

プラズマ室と、少なくとも一種類の第一のガスを受けるために、前記プラズマ室に通じる第一のガス注入マニホールドと、プラズマ形成のために、前記少なくとも一種類の第一のガスを励起するための電磁エネルギー源と、プラズマ室に通じる処理室を有し、それによりプラズマが前記処理室に拡散し、ウエーハを支持するウエーハ支持台を有し、前記ウエーハ支持台は前記処理室内に配設され、反応ガスを前記ウエーハ支持台へと指向させるために前記処理室内に配設され、前記ウエーハ支持台を取り囲む、第二のガス注入マニホールドを有し、それにより反応ガスがプラズマと反応して前記ウエーハ支持台上に支持されたウエーハの表面を処理し、かつ前記処理室の底部からガスを除去する真空装置から成るプラズマ強化化学処理反応装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/316 X , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭60-091629
酸化物のプラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-245137 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
化学気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-060513 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る