高密度プラズマCVD及びエッチングリアクタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203633
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169703
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】アスぺクトレシオが2より大きなチャンネルに対して、誘電体をスパッタリングで堆積する場合,通常の方法では入口が早く閉塞されて内部に空所が生じる。このような空所を作らないようにプラズマCVDとエッチングをうまく組み合わせたリアクタを提供する。【構成】 RFスパッタエッチングプロセスでは被加工面に対するイオンの入射角が45°の時にエッチング速度が最も速い。この性質を利用してチャンネル入口の角の所では堆積よりもエッチングの方が少し速くなるようにリアクタ天井の円形底壁50に設けた噴霧穴51から反応ガスを超音速で噴出させ,RF電極74上に保持したウエハ46に衝突させる。円形底壁50の内側に配置した磁石と,RFアンテナ49による誘導結合の効果で,発生したプラズマ中のイオンの入射角の分布が適当に調節されると,チャンネル入口の角部の誘電体堆積速度が他の部分より遅くなり空所を作らぬ堆積が行われる。

請求項（抜粋）：

真空チャンバを含むRF誘導結合プラズマリアクタであって、前記チャンバ中に反応性(reactant)ガスを導入するための1以上のガス源と、前記チャンバ内で誘導結合によりプラズマを発生するために、該チャンバ中にRFエネルギーを放射する能力があり、且つ2次元的に湾曲した面内に置かれているアンテナとを備える、リアクタ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-247767
特開平3-017272
特開平3-101226

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