特許
J-GLOBAL ID:200903003239901683
シリコンウェーハ及びその加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
須田 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-053093
公開番号(公開出願番号):特開平9-246220
出願日: 1996年03月11日
公開日(公表日): 1997年09月19日
要約:
【要約】【課題】 極めて高い平坦度を有しかつ光沢度の差による表裏の区別を容易にできるシリコンウェーハを得る。研磨時の接着剤を除去する煩わしさがなく、そりが小さい。【解決手段】 表面が鏡面であって、裏面が非鏡面であるシリコンウェーハに関する。このウェーハはその表面のローカルサイトフラットネスで表されるサイト平坦度(SFPD)が0.01〜0.1μm(PUA95%以上)であって、かつシリコンウェーハを吸着固定した際のウェーハ表面高さの最大値と最小値との差(TTV)が1.0μm以内である。
請求項(抜粋):
シリコンウェーハの表面が鏡面であって前記シリコンウェーハの裏面が非鏡面である片面鏡面加工されたシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハの表面のローカルサイトフラットネスで表されるサイト平坦度が0.01〜0.1μm(PUA95%以上)であって、かつ前記シリコンウェーハを吸着固定した際のウェーハ表面高さの最大値と最小値との差(TTV)が1.0μm以内であることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (3件):
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/306
FI (3件):
H01L 21/304 321 S
, H01L 21/304 321 A
, H01L 21/306 M
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平4-124823
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半導体基板を研磨のために予備整形する方法とその構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-165246
出願人:モトローラ・インコーポレイテッド
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ウェーハ研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-113773
出願人:三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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高平坦度ウェーハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-191483
出願人:三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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特開平4-251931
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