特許

J-GLOBAL ID：200903003239968559

フリップチップ実装方法

発明者： 森本 謙治 ,  高山 佳久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-247682
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115946
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子のフリップチップ実装方法に関し、量産性に優れ低コストで信頼性の高い実装方法を提供する。【構成】 半導体素子4上に予め形成した半田バンプ5よりも低い融点の金属ペースト2を、上面が平らな治具3上に薄く塗布する。半導体素子4を治具3に載置してから半導体素子4を取り除き、半田バンプ5の表面に金属ペースト2を転写する。この半導体素子4を基板6上に位置合わせし、リフロー処理することにより金属ペースト2を溶融させ、半導体素子4と基板6とを接続する。

請求項（抜粋）：

半導体素子に形成した半田バンプと上面が平らな治具とが対向するように載置した場合に、前記半導体素子本体と治具との間に形成される間隔よりも薄い厚さで、前記半田バンプよりも低い融点の金属ペーストを前記治具上に塗布する工程と、前記金属ペーストを塗布した治具上に、前記半導体素子の半田バンプ形成面を対向させて載置し、その後、前記半導体素子を取り外して、前記半田バンプの表面に前記金属ペーストを転写する工程と、前記金属ペーストが転写された半導体素子を基板上に載置し、前記半田バンプの融点よりも低い温度にて、前記金属ペーストを加熱、溶融することにより、半導体素子と基板とを接続する工程とを備えたフリップチップ実装方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-106057
  
• 半導体装置の組立方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001255   出願人：松下電器産業株式会社
• IC実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-328730   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-264731