特許
J-GLOBAL ID：200903003257283890
バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120577
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310521
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 バイポーラトランジスタの素子製作工程において、外部ベース領域表面保護層の形成及びベース層上面の露出を制御性、均一性良く行うことが可能となる素子構造を提供すること【構成】 バイポーラトランジスタにおいて、第1のエミッタ層2が単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料からなり、第2のエミッタ層3が第1のエミッタ層とは異なる単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料から構成されている。
請求項（抜粋）：
n形もしくはi形の第1のエミッタ層、n形もしくはi形の第2のエミッタ層、第2のエミッタ層に接するp形のベース層、n形、p形またはi形、もしくはn、p、i形の複合形からなるコレクタ層、n形のコレクタ電極層、を備え、さらに前記のエミッタ層、ベース層、コレクタ電極層の各層に接続されたエミッタ電極、ベース電極、及びコレクタ電極から構成されるバイポーラトランジスタに於て、前記第1のエミッタ層が単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料から成り、前記第2のエミッタ層が前記第1のエミッタ層とは異なる単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料から成ることを特徴とする、バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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