特許
J-GLOBAL ID：200903003257879288
多層埋め込みCu配線形成方法及び多層埋め込みCu配線構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272001
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097441
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 埋め込みCu配線を多層化する工程の途中に露出するCu配線の露出面の酸化や変質を効果的に防止することができる多層埋め込みCu配線形成方法及び多層埋め込みCu配線構造を提供すること。【解決手段】 SiO2絶縁層10を形成するとともにSiO2絶縁層10に埋め込みCu配線15を形成しさらにSiO2絶縁層10の表面を化学機械研摩法によって平坦化せしめる工程を複数回繰り返すことによって半導体ウエハ表面に多層埋め込みCu配線を形成していく。前記平坦化の際に露出するCu配線15の露出面にAg保護膜17を形成する。Ag保護膜17の形成は、Cu配線15の露出面をAgで置換メッキすることによって行なう。
請求項（抜粋）：
絶縁層を形成するとともに該絶縁層に埋め込みCu(銅)配線を形成しさらに該絶縁層の表面を平坦化せしめる工程を複数回繰り返すことによって基材表面に多層埋め込みCu配線を形成する多層埋め込みCu配線形成方法において、前記平坦化の際に露出するCu配線露出面にAg(銀)保護膜を形成することを特徴とする多層埋め込みCu配線形成方法。
引用特許：
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