半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171915
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022285
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線表面の酸化を防止し、もって配線抵抗の低いCuによる多層配線を形成する。【解決手段】半導体基板1表面に形成された溝3にCu5を埋め込む。その後無電解メッキ溶液を含有した研磨剤を用いて半導体基板1表面に析出したCu5を研磨する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された溝に金属を埋め込む工程と、無電解メッキ溶液を含有した研磨剤を用いて前記半導体基板表面に析出した前記金属を研磨する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 S , H01L 21/304 321 P , H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

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