特許
J-GLOBAL ID：200903003262647662
半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小谷 悦司
, 小谷 昌崇
, 麻野 義夫
, 江川 勝
, 大西 裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-081566
公開番号（公開出願番号）：特開2009-238932
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】透光性を有する成長基板上に、n型半導体層、発光層およびp型半導体層の各層が積層されて成る半導体発光素子において、光取出し効率を向上する。【解決手段】発光層12からの光の取出し面14とは反対側の面に反射膜を設けて光取出し効率を向上するにあたって、前記反射膜を、該反射膜が接するp型半導体層13の屈折率より低い屈折率を有し、かつ1/10光学波長以上の厚みの第1の透明層15aと、p型半導体層13の屈折率より低く、かつ第1の透明層15aよりも高い屈折率を有するとともに、第1の透明層15aとは逆の応力特性を有し、第1の透明層15aの数倍の厚みを有する第2の透明層15bと、前記透明層15a,15b上に積層され、高反射率を有する金属層16とを備えて構成する。したがって、臨界角を超えて深い角度で入射した光が、エバネッセント波と称される浸み出し光となっても、殆どを界面へ戻すことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層の発光波長において透光性を有する成長基板上に、n型半導体層、前記発光層およびp型半導体層が積層され、前記発光層からの光の取出し面とは反対側の面に反射膜を有する半導体発光素子において、
前記反射膜は、
前記発光波長において、該反射膜が接する前記成長基板または半導体層の屈折率より低い屈折率を有し、1/10光学波長以上の厚みを有する第1の透明層と、
前記第1の透明層上に積層され、前記発光波長において、前記成長基板または半導体層の屈折率より低く、かつ前記第1の透明層よりも高い屈折率を有するとともに、前記第1の透明層とは逆の応力特性を有し、前記第1の透明層の数倍の厚みを有する第2の透明層と、
前記第2の透明層上に積層され、高反射率を有する金属材料から成る金属層とを備えて構成されることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F041AA04
, 5F041AA24
, 5F041DA36
, 5F041FF11
