特許
J-GLOBAL ID：200903003159119844

半導体発光素子

発明者：
安田 正治

安田 正治 について

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高倉 信之

高倉 信之 について

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秩父 重英

秩父 重英 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について

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国立大学法人 筑波大学

国立大学法人 筑波大学 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077721
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258276
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】所望の光取り出し面からの光取り出し効率の向上を図れる半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光層3に対して所望の光取り出し面側とは反対側に位置するアノード電極5は、p形半導体層4上に形成された第1の透明導電膜51と、第1の透明導電膜51上に形成された第2の透明導電膜52と、第2の透明導電膜52上に形成され発光層3から放射された光を反射する複数の多層反射膜層53と、第2の透明導電膜52において多層反射膜層53により覆われていない部位および多層反射膜層53を覆うように形成され発光層3からの光に対して高い反射率を有する金属材料からなる金属反射膜54と、金属反射膜54上に形成されたバリアメタル膜55と、バリアメタル膜55上に形成された金属材料からなる外部接続用金属膜56とで構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n形半導体層と発光層とp形半導体層との積層構造を有し、p形半導体層における発光層側とは反対側にアノード電極が形成されるとともに、n形半導体層における発光層の積層側にカソード電極が形成され、発光層の厚み方向において所望の光取り出し面側とは反対側に、複数種類の誘電体膜が周期的に積層されたものであって発光層から放射された光を反射する多層反射膜層を備えてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F041EE23
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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