特許
J-GLOBAL ID：200903019427034958
半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小谷 悦司
, 小谷 昌崇
, 麻野 義夫
, 江川 勝
, 大西 裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-070332
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260316
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】透光性を有する成長基板上に、n型半導体層、発光層およびp型半導体層の各層が積層されて成る半導体発光素子において、光取出し効率を向上する。【解決手段】発光層12からの光の取出し面14とは反対側の面に反射膜を設けて光取出し効率を向上するにあたって、前記反射膜を、該反射膜が接するp型半導体層13の屈折率より低い屈折率を有し、かつ3/4光学波長以上の厚みを有する透明層15と、透明層15上に積層され、高反射率を有する金属層16とを備えて構成する。したがって、臨界角を超えて深い角度で入射した光が、高屈折率であるGaNと該反射膜との界面において、エバネッセント波と称される浸み出し光となっても、該透明層が3/4光学波長以上の厚みを有することで、殆どを界面へ戻すことができ、反射膜にあらゆる入射角で入射した光を効率良く取出すことができ、低消費電力化或いは高輝度化を図ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層の発光波長において透光性を有するn型半導体層、前記発光層およびp型半導体層が積層され、前記発光層からの光の取出し面とは反対側に反射膜を備え、
前記反射膜は、
発光層の発光波長において透光性を有する透明層と、
前記透明層の、前記発光層とは反対側に積層され、高反射率を有する金属材料から成る金属層とを備え、
前記透明層は、前記発光波長において、当該透明層から見て前記発光層の側に設けられた層の屈折率より低い屈折率を有し、
前記透明層の厚さは、前記発光波長の3/4を、前記透明層の屈折率で除した値以上であること
を特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA41
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA86
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041FF11
