特許
J-GLOBAL ID：200903003271582905
荷電粒子ビームを用いた半導体ウェハ試料の検査方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井島 藤治
, 鮫島 信重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426393
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183881
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 試料に照射する荷電粒子ビームを計測目的に応じて的確に制御することで、吸収電流検出感度と検出精度を向上させることができる荷電粒子ビームを用いた半導体ウェハ試料の検査方法および装置を実現する。【解決手段】 半導体ウェハ試料4の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査し、試料の吸収電流を検出し、吸収電流値に基づいて試料4の平面状表面に設けられた構造の検査を行う際、半導体ウェハ試料4の上部に制御電極16を配置し、半導体ウェハ試料の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査する際、試料の平面状表面の電子放出率が1となるように、荷電粒子ビームの加速電圧および制御電極の電位を制御して、試料表面電界の強度を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ試料の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査し、試料の吸収電流を検出し、吸収電流値に基づいて試料の平面状表面に設けられた構造の検査を行う検査方法において、半導体ウェハ試料の所定2次元領域で荷電粒子ビームを走査する際、試料の平面状表面の電子放出率が1となるように、荷電粒子ビームの加速電圧および試料表面電界の強度を制御するようにした荷電粒子ビームを用いた半導体ウェハ試料の検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 J
, H01J37/28 B
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB02
, 4M106DB05
, 4M106DB12
, 4M106DH33
, 5C033UU01
, 5C033UU02
, 5C033UU03
, 5C033UU04
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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