特許
J-GLOBAL ID：200903003277353380
高分子薄膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319642
公開番号（公開出願番号）：特開平9-143681
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：
【要約】【課題】簡素なプロセスや条件で平坦な成膜が可能な高分子薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係る高分子薄膜の形成方法は、真空中で高分子重合体の原料モノマーを蒸発させ、これを基体上で重合させて高分子薄膜を形成する蒸着重合法において、原料モノマーのうち蒸気圧の低いモノマーの表面滞留時間が10-1秒以下となるように基板の温度を保持する。例えば、ポリ尿素による薄膜を形成する場合には、原料モノマーとして、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と、4,4’-ジアミノジフェニルメタン(MDA)を用いる。
請求項（抜粋）：
真空中で高分子重合体の原料モノマーを蒸発させ、これを基体上で蒸着重合させて高分子薄膜を形成する高分子薄膜の形成方法において、上記原料モノマーのうち蒸気圧が低いモノマーの表面滞留時間が10-1秒以下となるように上記基体の温度を保持してなることを特徴とする高分子薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/12
, C08G 18/32 NDT
, C08G 73/10 NTF
C23C 14/12
, C08G 18/32 NDT
, C08G 73/10 NTF
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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