半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002722
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251455
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】チャネル幅が狭くなってもしきい値電圧を一定に維持することができる半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明半導体デバイスは、ゲート電極となるドーピングされた半導体層の縁にカウンタドーピングして、ゲート電極の周辺部の不純物の濃度を低くしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板に形成された第1導電型ウェルと、第1導電型ウェル上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第2導電型でドーピングされ、チャネル幅方向の縁部が第1導電型でカウンタドーピングされたゲート電極とを備えることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 102 C , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

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