鍍金システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180552
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017498
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】真空内処理とメッキ処理とを連続して行えるようにする。【解決手段】移送機構70を内蔵する第1真空チャンバ40に対し第2真空チャンバ80を介して湿式鍍金装置30が連結され、その第2真空チャンバ80には加熱手段82,84,85が設けられる。真空乾燥に加え加熱乾燥も行われて、各真空機器52,53と湿式鍍金装置30とに亘る一連の成膜処理が、枚様処理的にも連続して早速かつ的確に行なわれる。

請求項（抜粋）：

移送機構を内蔵する第1真空チャンバに対し第2真空チャンバを介して湿式鍍金装置が連結された鍍金システムであって、前記第2真空チャンバに加熱手段が設けられていることを特徴とする鍍金システム。

IPC (4件)：

C25D 19/00 , H01L 21/288 , C25D 7/12 , H01L 21/203

FI (4件)：

C25D 19/00 C , H01L 21/288 Z , C25D 7/12 , H01L 21/203 S

Fターム (31件)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024AB02 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024CB02 , 4K024CB03 , 4K024CB24 , 4K024CB26 , 4K024DA10 , 4K024DB01 , 4K024GA16 , 4M104AA01 , 4M104BB30 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD52 , 4M104DD78 , 4M104HH15 , 5F103AA08 , 5F103BB36 , 5F103BB42 , 5F103BB46 , 5F103DD28 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103LL14 , 5F103RR04 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (4件)

減圧・常圧処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148485 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-113549 出願人：富士通株式会社
特開平3-044058

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