特許
J-GLOBAL ID：200903003320485210

スパッタリングターゲット材

発明者：
長谷川 浩一

長谷川 浩一 について

, 
石井 信雄

石井 信雄 について

, 
朝木 知美

朝木 知美 について


出願人/特許権者：
石福金属興業株式会社

石福金属興業株式会社 について


代理人 (1件)： 小田島 平吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-138674
公開番号（公開出願番号）：特開2002-332568
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 Ag合金から構成された、高い反射率を有し且つ耐硫化性に優れたスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】 Agに、特定少量のGe、GaおよびSbから選ばれる金属成分(A)、特定少量のAu、Pd、Ptから選ばれる金属成分(B)、及び場合により、少量のCuを添加して合金化してなるAg合金から構成されたスパッタリングターゲット材。
請求項（抜粋）：
Agに、Ge、GaおよびSbから選ばれる少なくとも1種の金属成分(A)0.1〜4.9mass%とAu、PdおよびPtから選ばれる少なくとも1種の金属成分(B)0.1〜4.9mass%を添加してなり、金属成分(A)と金属成分(B)の合計添加量が0.2〜5mass%であるAg合金より構成されていることを特徴とする高反射率を有する高耐食性薄膜形成用スパッタリングターゲット材。
IPC (5件)：
C23C 14/34 ,  C22C 5/06 ,  G11B 7/24 538 ,  G11B 7/24 ,  G11B 7/26 531
FI (5件)：
C23C 14/34 A ,  C22C 5/06 Z ,  G11B 7/24 538 E ,  G11B 7/24 538 G ,  G11B 7/26 531
Fターム (11件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA22 ,  4K029BC01 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  5D029MA13 ,  5D121AA05 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09
引用特許：
審査官引用 (3件)

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