電気的アドレス可能なSOS光弁の製作方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：市東篤 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-538383
公開番号（公開出願番号）：特表2002-508591
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】【課題】電気的アドレス可能な超高分解能ネマチック液晶ディスプレイの提供。【解決手段】a)サファイア基板30上にエピタキシャルシリコン層40を形成してSOS構造を創出し;b)エピタキシャルシリコン層にイオン・インプランテーションを加え;c)前記SOS構造を焼なまし;d)エピタキシャルシリコン層を酸化してエピタキシャルシリコン薄化層を残しながら前記エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成し;e)前記二酸化シリコン層を除去して前記エピタキシャルシリコン薄化層を露出し;f)前記エピタキシャルシリコン薄化層から画素122のアレイを作り;g)エピタキシャルシリコン薄化層から集積回路(124、126)を作り該回路の作動的結合により前記画素を変調する諸過程からなるSOS構造上の制御回路とモノリシック集積した液晶アレイディスプレイを製作する方法。

請求項（抜粋）：

a)サファイア基板上にエピタキシャルシリコン層を形成してSOS(Silicon-On-Sapphire)構造を創出し;b)前記エピタキシャルシリコン層にイオン・インプランテーションを加え;c)前記SOS構造を焼なまし;d)前記エピタキシャルシリコン層を酸化してエピタキシャルシリコン薄化層を残しながら前記エピタキシャルシリコン層の一部に二酸化シリコン層を形成し;e)前記二酸化シリコン層を除去して前記エピタキシャルシリコン薄化層を露出し;f)前記エピタキシャルシリコン薄化層から画素アレイを作り;そしてg)前記エピタキシャルシリコン薄化層から集積回路を作り該回路の作動的結合により前記画素を変調する諸過程からなるSOS構造上の制御回路とモノリシック集積した液晶アレイディスプレイの製作方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , G02F 1/1368 , H01L 21/84 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/12 S , H01L 21/84 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 615

Fターム (21件)：

5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110EE09 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG42 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HL03 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (12件)

単一の超薄膜シリコン・オン・サファイアチップ上の高周波ワイヤレス通信システム
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-504541 出願人：ペレグリン・セミコンダクター・コーポレイション
特開昭51-112188
特開昭61-276484

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