特許

J-GLOBAL ID：200903003331002458

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 祐一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068766
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241991
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 ゲート酸化膜を通してチャネルドープ層形成のためのイオン注入を行ない、かつゲート酸化膜の信頼性の低下を防ぐ。【構成】 ゲート酸化膜3を形成した後、リソグラフィーにより少なくともチャネル領域に開口をもつレジストパターン4を形成する。レジストパターン4とフィールド酸化膜2をマスクとして、ゲート酸化膜3を通して基板にボロンを15KeVで4.2×1012/cm2注入する。その後、レジスト4をアッシングにより除去し、シリコン基板の洗浄を行なう。次に、30°Cに加温された沸酸:水=1:200の希沸酸によりゲート酸化膜3の表面の約1nmの厚さ部分6をエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にゲート酸化膜を形成した後、そのゲート酸化膜上にチャネル領域に開口をもつレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとしてシリコン基板のチャネル領域にゲート酸化膜を通してしきい値電圧調整用のイオン注入を行なう工程を含む半導体装置の製造方法において、前記イオン注入後に、ゲート酸化膜の表面部分を除去するエッチング工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/265 H ,  H01L 21/306 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-092472
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272759   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294094   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭64-037027