特許
J-GLOBAL ID：200903003371491460
下部バンプ金属のためのバリアキャップ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165939
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007755
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 下部バンプ金属と半田バンプとの間にあるバリア層を改善する。【解決手段】 金属接合パッド4が設けられた半導体ウエハ上での半田バンプの製造方法は、(a)金属の接着/バリア/電気メッキのバス層8を少なくとも接合パッドの上に形成する工程と、(b)レジスト層10を、接合パッド4の上に開口を規定する所定パターンに形成する工程と、(c)半田濡れ性の層12を開口の中に形成する工程と、(d)開口領域からレジストの一部を除去して、半田濡れ性の金属層12のエッジとレジスト10との間に隙間を形成する工程と、(e)工程(d)で形成された隙間を含めて半田濡れ性の金属層12の上に、半田濡れ性の金属層を封止するバリア金属層を形成する工程と、(f)バリア金属層の上に半田バンプを組み上げる工程と、(g)レジスト材料を除去する工程と、(h)露出した接着/バリア層を除去する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
金属接合パッドが設けられた半導体ウエハ上での半田バンプの製造方法であって、(a)金属メッキバス層を、少なくとも前記接合パッドの上に形成する工程と、(b)レジスト層を、前記接合パッドの上に開口を規定する所定パターンに形成する工程と、(c)半田濡れ性の金属層を、メッキバス層上の前記開口の中に形成する工程と、(d)開口領域からレジストの一部を除去して、半田濡れ性の金属層のエッジとレジストとの間に隙間を形成する工程と、(e)工程(d)で形成された前記隙間を含めて半田濡れ性の金属層の上に、半田濡れ性の金属層を封止するバリア金属層を形成する工程と、(f)バリア金属層の上に半田バンプを組み上げる工程と、(g)レジスト材料を除去する工程と、(h)露出した金属メッキバス層を除去する工程と、を備える製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 603 D
, H01L 21/92 604 H
, H01L 21/92 604 M
