特許
J-GLOBAL ID：200903000230807154

半導体装置およびその製造方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234661
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044233
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】樹脂被膜によりバンプの根本を補強する方法を用いるときに、バンプ接合界面における電気抵抗の上昇や接合強度の低下を抑制し、接続信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップの回路パターンが形成された半導体ウェハ110上に、回路パターンに接続するようにバンプ116bを形成し、バンプ116bの高さよりも低い表面となる膜厚でバンプの間隙部を封止しながら半導体ウェハのバンプ形成面上に樹脂被膜117を形成し、プラズマクリーニング処理などにより、バンプの表層部に付着した封止樹脂成分や自然酸化物などの絶縁性不純物117aを除去し、バンプ116b表面を清浄化、活性化して、実装基板に実装する。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの回路パターンに接続するように形成された金属バンプと、上記半導体デバイスの回路パターン形成面に、上記金属バンプの間隙部を封止し、金属バンプの高さより低い膜厚となるように形成された樹脂膜とを含み、上記金属バンプの樹脂膜から突出した表面が清浄化されている半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 A
Fターム (5件)：
5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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