特許

J-GLOBAL ID：200903003398372934

化合物半導体装置の製造方法

発明者： 藤本 英俊 ,  新田 康一 ,  石川 正行 ,  菅原 秀人 ,  国分 義弘 ,  山本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-228277
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328093
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】高信頼性を有する化合物半導体装置を提供する。【解決手段】化合物半導体装置の製造方法は、マグネシウムを含有する、p型若しくはi型の窒化物系化合物からなる第1半導体層25、26に1×1016cm-3〜8×1017cm-3の珪素を含有させる工程と、その後、第1半導体層25、26をエッチングする工程とを具備する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

マグネシウムを含有する、p型若しくはi型の窒化物系化合物からなる第1半導体層に1×1016cm-3〜8×1017cm-3の珪素を含有させる工程と、その後、前記第1半導体層をエッチングする工程とを具備することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (8件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭49-29770号
  

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-070874   出願人：日亜化学工業株式会社