特許
J-GLOBAL ID:200903003416761943

半導体装置及びチップキャリア

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-028881
公開番号(公開出願番号):特開2002-231862
出願日: 2001年02月05日
公開日(公表日): 2002年08月16日
要約:
【要約】【課題】レーザチップ等の温度制御に使用されるサーミスタ素子を有する半導体装置に関し、レーザチップ等の温度制御を長期的に且つ高精度に制御すること。【解決手段】キャリア基体1と、キャリア基体1上に直に形成された温度感知抵抗体膜6、記キャリア基体上に形成されて温度感知抵抗体膜6の両端に接続される第1及び第2の導電パターン4,5と、キャリア基体1上に形成され且つ半導体チップ搭載領域3とを含む。
請求項(抜粋):
【請求項1 】キャリア基体と、前記キャリア基体に被着された温度感知抵抗体と、前記キャリア基体に設けられた半導体素子の搭載部と、前記搭載部に搭載された半導体素子とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/34 ,  H01S 5/024
FI (2件):
H01L 23/34 D ,  H01S 5/024
Fターム (11件):
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD13 ,  5F036BF01 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA25 ,  5F073FA27 ,  5F073GA14 ,  5F073GA23
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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