特許
J-GLOBAL ID:200903003418315665

半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-123724
公開番号(公開出願番号):特開2008-034802
出願日: 2007年05月08日
公開日(公表日): 2008年02月14日
要約:
【課題】低温で封止することができ、高い透過率と優れた耐候性を有し、しかも、半導体と反応し難い非鉛系ガラスからなる半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子を提供することである。【解決手段】本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ1mm、波長588nmにおける内部透過率が80%以上であり、且つ、400°C以下の軟化点を有するSnO-P2O5-B2O3系ガラスからなることを特徴とする。また、本発明の半導体素子は、上記封止材料を用いて半導体を封止してなることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体を封止するための封止材料であって、厚さ1mm、波長588nmにおける内部透過率が80%以上であり、且つ、400°C以下の軟化点を有するSnO-P2O5-B2O3系ガラスからなることを特徴とする半導体封止材料。
IPC (4件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00 ,  C03C 8/16
FI (3件):
H01L23/30 G ,  H01L33/00 N ,  C03C8/16
Fターム (101件):
4G062AA08 ,  4G062BB01 ,  4G062BB05 ,  4G062BB07 ,  4G062BB08 ,  4G062BB09 ,  4G062CC10 ,  4G062DA01 ,  4G062DA02 ,  4G062DA03 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DB03 ,  4G062DC03 ,  4G062DC04 ,  4G062DD03 ,  4G062DD04 ,  4G062DD05 ,  4G062DE01 ,  4G062DE02 ,  4G062DE03 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA02 ,  4G062EA03 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EB02 ,  4G062EB03 ,  4G062EC01 ,  4G062EC02 ,  4G062EC03 ,  4G062ED01 ,  4G062ED02 ,  4G062ED03 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EE03 ,  4G062EF01 ,  4G062EF02 ,  4G062EF03 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062FA01 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE05 ,  4G062FE06 ,  4G062FE07 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM08 ,  4G062MM23 ,  4G062NN01 ,  4G062NN32 ,  4G062NN34 ,  4M109AA03 ,  4M109BA07 ,  4M109CA26 ,  4M109EA18 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01 ,  5F041AA34 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041DA01 ,  5F041DA47 ,  5F041DA59 ,  5F041DA78
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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