特許
J-GLOBAL ID：200903003421687476

比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット

発明者：
野中 荘平

野中 荘平 について

, 
白井 孝典

白井 孝典 について

, 
佐々木 勇人

佐々木 勇人 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (3件)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎 ,  影山 秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-310222
公開番号（公開出願番号）：特開2009-132975
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはCo-Cr二元系合金相1の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相2により包囲されている複合相3がPt相素地4中に均一分散している組織を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは、Co-Cr二元系合金相の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相により包囲されている複合相がPt相素地中に均一分散している組織を有することを特徴とする比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (9件)：
C22C 19/07 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/00 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/10 ,  B22F 3/14 ,  B22F 3/15 ,  G11B 5/851
FI (9件)：
C22C19/07 C ,  C23C14/34 A ,  C23C14/14 F ,  C23C14/00 D ,  B22F1/00 X ,  B22F3/10 F ,  B22F3/14 A ,  B22F3/15 M ,  G11B5/851
Fターム (24件)：
4K018AA10 ,  4K018AB01 ,  4K018AC02 ,  4K018BA04 ,  4K018BC28 ,  4K018BD02 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018KA29 ,  4K029BA24 ,  4K029BA31 ,  4K029BA64 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112FA04 ,  5D112FB04 ,  5D112FB06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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