特許
J-GLOBAL ID：200903007405799812
磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
富田 和夫
, 鴨井 久太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-139889
公開番号（公開出願番号）：特開2004-339586
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】磁気記録層を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シリカ:4〜20原子%、CrおよびPtの内の1種または2種を合計で5〜40原子%を含有し、残部:Coからなる組成を有し、シリカ相とCrおよびPtの内の1種または2種を含有するCo基合金相とが混在しているている混合相からなる組織を有する磁気記録層形成用スパッタリングターゲットにおいて、前記シリカ相は、線分法で求めた平均幅が0.5〜5μmの範囲内にあり、この時原料粉末の一つとして使用するシリカ粉末は高温火炎加水分解法で製造されたシリカ粉末またはこのシリカ粉末を表面処理した疎水性を有するシリカ粉末を使用する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリカ:4〜20原子%、CrおよびPtの内の1種または2種を合計で5〜40原子%を含有し、残部:Coからなる組成を有し、シリカ相とCrおよびPtの内の1種または2種を含有するCo基焼結合金相とが混在しているている混合相からなる組織を有する磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、前記シリカ相は、線分法で求めた平均幅が0.5〜5μmの範囲内にあることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4K029BA24
, 4K029BA64
, 4K029BC06
, 4K029BD11
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5D112AA05
, 5D112BB05
, 5D112FA04
, 5D112FB02
