特許
J-GLOBAL ID：200903060183961681

磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体

発明者：
上住 洋之

上住 洋之 について

, 
及川 忠昭

及川 忠昭 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046471
公開番号（公開出願番号）：特開2001-236643
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 磁気記録媒体のグラニュラー磁性層を成膜する時に生じる異常放電、およびそれに伴う磁気記録媒体上への異物の発生を抑制するためのスパッタリングターゲット、該ターゲットを用いた磁気記録媒体の製造方法、および該製造方法によって得られる磁気記録媒体の提供。【解決手段】 非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層、磁性層、保護層を順次積層してなる磁気記録媒体の前記磁性層を成膜する時に使用する磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲットであって、前述のスパッタリングターゲットは、金属と酸化物との混合体からなり、および前記スパッタリングターゲット中の酸化物の粒径が10μm以下である。
請求項（抜粋）：
非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層、磁性層、および保護層を順次積層してなる磁気記録媒体の前記磁性層を成膜する時に使用する磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットが、金属と酸化物との混合体からなること、および前記スパッタリングターゲット中の酸化物の粒径が10μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
G11B 5/851 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/65 ,  H01F 41/18
FI (5件)：
G11B 5/851 ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 P ,  G11B 5/65 ,  H01F 41/18
Fターム (24件)：
4K029AA09 ,  4K029BA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA46 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC35 ,  4K029FA07 ,  4K029GA03 ,  5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006BB09 ,  5D006EA03 ,  5D112AA05 ,  5D112BB05 ,  5D112FA04 ,  5D112FB02 ,  5E049AA04 ,  5E049CC08 ,  5E049DB04 ,  5E049GC02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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