特許
J-GLOBAL ID：200903003427651945

半導体製造装置

発明者：
黒澤 哲也

黒澤 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-273415
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085354
出願日： 2007年10月22日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】薄型化された半導体ウエーハのダイシング時に生じるチッピングを抑制し、ダイシング工程からダイボンディング工程における半導体装置の不良発生率を低減する。【解決手段】半導体製造装置11は、半導体ウエーハ16から個片化された複数の半導体素子を順にピックアップするピックアップ部12と、複数の半導体素子の裏面部に素子形状に応じて個片化された素子接着用フィルムを順に貼り付けるフィルム貼り付け部13と、複数の半導体素子を半導体装置形成用基材上に順に接着する素子接着部14とを具備する。半導体素子は多孔質吸着コレットで保持されてピックアップされる。素子接着用フィルムは多孔質状吸着部材に保持されて切断される。多孔質状吸着部材に保持された素子接着用フィルムは多孔質吸着コレットに保持された半導体素子に貼り付けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
個片化された複数の半導体素子を保持部材で保持した半導体ウエーハから、前記複数の半導体素子を多孔質吸着コレットで順に保持してピックアップするピックアップ部と、 多孔質状吸着部材に保持された素子接着用フィルムを前記半導体素子の形状に応じて切断して個片化するフィルム切断機構を備え、前記多孔質状吸着部材に全面で保持された前記個片化された素子接着用フィルムと前記多孔質吸着コレットに全面で保持された前記半導体素子とを圧着し、前記複数の半導体素子の裏面部に前記個片化された素子接着用フィルムを順に貼り付けるフィルム貼り付け部と、 前記素子接着用フィルムが貼り付けられた前記複数の半導体素子を半導体装置形成用基材上に順に接着する素子接着部と を具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (1件)：
H01L 21/52
FI (1件)：
H01L21/52 F
Fターム (5件)：
5F047BB03 ,  5F047BB18 ,  5F047FA08 ,  5F047FA23 ,  5F047FA25
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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