特許

J-GLOBAL ID：200903003427833229

インダクタンス素子

発明者： 篠井 潔 ,  高橋 秀幸 ,  佐藤 崇 ,  和賀 聡 ,  清水 賢児 ,  柿原 良亘
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262761
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035937
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 コイル体が磁性膜に覆われたインダクタンス素子において、周波数変化に対するインダクタンスの低下率の増大を防止し、ローパスフィルタを構成したときの信号の減衰特性を良好なものとさせる。【構成】 基板1上に下部磁性膜2、絶縁層3、コイル体4、絶縁層5、上部磁性膜6が設けられたインダクタンス素子Bにおいて、上下の磁性膜6、2に、中心から角部(ロ)の領域に放射状に延びるスリットS1〜S4および(a1)〜(a4)を形成する。スリットにより上下の磁性膜6、2を遮断することにより、渦電流損を低下させ、また磁場Hによりインダクタンス素子Bの角部領域(ロ)に生じる磁区の乱れを防止する。渦電流損と磁場の乱れが抑制され、インダクタンス素子の周波数変化に対するインダクタンスの減少率の増大を防止し、例えばローパスフィルタを構成したときの信号減衰率を大きなものとする。

請求項（抜粋）：

導電性材料により平面内で螺旋状に形成されたコイル体と、このコイル体を覆う磁性膜とを有し、前記磁性膜の一部が、コイル体に流れる電流と交叉する方向に延びるスリットにより分離されていることを特徴とするインダクタンス素子。

IPC (2件)：

H01F 17/00 ,  H01F 27/24

FI (2件)：

H01F 17/00 B ,  H01F 27/24 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜磁気素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-043607   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜インダクタおよび薄膜トランス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-207598   出願人：日本電信電話株式会社
• 磁気ヘツド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196709   出願人：シヤープ株式会社
• 薄形インダクタ/トランスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-009787   出願人：新日本製鐵株式会社, 株式会社ユタカ電機製作所