ダイボンディング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-125500
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318203
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】熱伝導効率の良い接合と、比較的低温環境下での接合を実現するダイボンディング方法を提供する。【解決手段】チップ1を金属板やセラミック等の基板に固定するダイボンディングにおいて、両接合面の少なくとも一方に金属層でなる複数の突起22A(25A)を形成し、前記両接合面を圧接するように挟持し、前記挟持による所定の加圧力Fのもとに、圧接された接合面に接合面と平行方向の超音波振動Wを印加し、接合面を金属拡散接合することを特徴とするダイボンディング方法。

請求項（抜粋）：

ダイオードチップ、平板型コンデンサチップ、ヒートスプレッダチップ等のチップを金属板やセラミック等の基板に固定するダイボンディングにおいて、両接合面の少なくとも一方に金属層でなる複数の突起を形成し、前記両接合面を圧接するように挟持し、前記挟持による所定の加圧力のもとに、圧接された接合面に接合面と平行方向の超音波振動を印加し、接合面を金属拡散接合することを特徴とするダイボンディング方法。

Fターム (9件)：

5F047AB06 , 5F047AB08 , 5F047AB10 , 5F047BA41 , 5F047BB01 , 5F047BB07 , 5F047BB16 , 5F047BB19 , 5F047CB03

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-084209 出願人：株式会社日立製作所
特開昭54-114092
特開昭63-084124

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