特許
J-GLOBAL ID:200903003441738891

反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 泉名 謙治 ,  小川 利春 ,  山本 量三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-121488
公開番号(公開出願番号):特開2005-333124
出願日: 2005年04月19日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
【課題】基板表面に付着した異物が少なく、またマスク製造工程で異物が基板表面またはマスク表面に付着することが少ない、EUVリソグラフィ用反射型マスクの基材に好適な低膨張硝子基板を提供する。【解決手段】半導体製造工程のリソグラフィ工程に使用される反射型マスクの基材である低膨張硝子基板であって、該低膨張硝子基板1の外周に沿って形成される側面2、面取部3及び6、ノッチ部5が、表面粗さRaが0.05μm以下、表面粗さRmaxが0.05〜0.50μmの範囲の鏡面である反射型マスク用低膨張硝子基板。【選択図】図3
請求項(抜粋):
半導体製造工程のリソグラフィ工程に使用される反射型マスクの基材である低膨張硝子基板であって、該低膨張硝子基板の外周に沿って形成される側面、面取部およびノッチ部のいずれかが鏡面であることを特徴とする反射型マスク用低膨張硝子基板。
IPC (2件):
H01L21/027 ,  G03F1/16
FI (2件):
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (4件):
2H095BA10 ,  2H095BC26 ,  5F046GD04 ,  5F046GD07
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (12件)
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