特許

J-GLOBAL ID：200903003459934752

窒素雰囲気下で焼成可能な厚膜金ペースト及びその焼成方法ならびに焼成して得られた厚膜回路基板

発明者： 大木 昇 ,  瀬古 靖 ,  石井 利憲
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社 ,  田中貴金属工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 和誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003617
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 窒素雰囲気下で焼成可能な、均一な金光沢のある、また導体抵抗、密着強度、ワイヤーボンディング性、半田ヌレ性等に優れた製品特性が得られる厚膜金ペーストとその焼成方法の開発。【解決手段】 金微粉末と、ペースト調整用樹脂及びビヒクル、ならびに200〜400°Cで酸素を放出する性質を有する酸化物を含み、窒素雰囲気下で焼成可能な厚膜金ペーストであって、該樹脂としてエチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルの中から選ばれた一種又は二種以上用い、酸素を放出する酸化物として、AgO、Ag2 O、CaO2 、Cs2O、PbO2 、Pb2 O3 、Rb2 O、ZnO2 、CuO、Cu2 Oを添加し、窒素雰囲気下で焼成する方法を特徴とする。

請求項（抜粋）：

金微粉末と、ペースト調整用樹脂及びビヒクル、ならびに酸素を放出する性質を有する酸化物を含むことを特徴とする窒素雰囲気下で焼成可能な厚膜金ペースト。

IPC (4件)：

H01B 1/16 ,  C23C 24/08 ,  H05K 1/09 ,  B22F 1/00

FI (4件)：

H01B 1/16 Z ,  C23C 24/08 A ,  H05K 1/09 Z ,  B22F 1/00 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• セラミック回路基板用金ペースト、セラミック回路基板およびセラミック回路基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-005149   出願人：松下電器産業株式会社
• 混成集積回路装置の製造方法および厚膜ペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-263576   出願人：株式会社日立製作所