液晶表示装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276820
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100822
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ITO等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。【解決手段】Al合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Y、Sc、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Er、Th、Sr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Cd、Si、PbおよびBから選ばれる第1の元素を0.001〜30原子%の範囲で含み、残部が実質的にAlからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、O、NおよびHから選ばれる第2の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。このスパッタターゲットをスパッタして形成したAl合金膜にエッチング処理を施してAl合金配線を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Al合金配線を有する液晶表示装置の製造方法において、 Y、Sc、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Er、Th、Sr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Cd、Si、PbおよびBから選ばれる少なくとも1種の第1の元素を0.001〜30原子%の範囲で含み、残部が実質的にAlからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法または粉末冶金法で作製するにあたって、O、NおよびHから選ばれる少なくとも1種の第2の元素を含むガスを使用して、前記インゴットまたは焼結体を作製した後、前記インゴットまたは焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する工程と、前記スパッタターゲットをスパッタしてAl合金膜を形成する工程と、前記Al合金膜にエッチング処理を施して、前記Al合金配線を形成する工程とを具備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 29/786 , H01L 29/78 , G02F 1/134 , C23C 14/34 , C22C 21/00 , C22C 1/02

FI (12件)：

H01L21/285 S , H01L21/28 301R , H01L21/88 N , H01L29/78 616V , H01L29/78 617M , H01L29/78 612C , H01L29/78 301X , G02F1/1345 , C23C14/34 A , C22C21/00 E , C22C21/00 A , C22C1/02 503J

Fターム (89件)：

2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB13 , 2H092MA05 , 2H092MA17 , 2H092MA18 , 2H092NA28 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA23 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 4K029DC09 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB16 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB38 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH01 , 4M104HH03 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH20 , 5F033JJ09 , 5F033JJ10 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033NN03 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033VV15 , 5F033XX05 , 5F033XX09 , 5F033XX16 , 5F033XX21 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF08 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ16 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140CA10 , 5F140CB01 , 5F140CC01 , 5F140CC05 , 5F140CC08

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-184747 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開昭62-228446号公報
特公平4-48854号公報

審査官引用 (5件)

特開昭62-240738
半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-184747 出願人：株式会社神戸製鋼所
アルミニウム系合金膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-355633 出願人：カシオ計算機株式会社

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