特許
J-GLOBAL ID：200903003508329851
レーザCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-408539
公開番号（公開出願番号）：特開2005-171272
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 局所成膜部と基板との間隔の変動を防ぎ、基板上に良質な膜を形成することのできるレーザCVD装置を提供する。【解決手段】 TFT基板10が載置台20に支持され、レーザ光源30からのレーザ光LBが、局所成膜部40の窓41を介してTFT基板10へ向けて照射される。レーザ光LBの照射位置に向けて供給された成膜用の原料ガスG1は、原料ガス排気口53から吸引されて排気される。浮上機構60の通気部61から浮上用ガスG2がTFT基板10に向けて吹き出されることにより、局所成膜部40がTFT基板10に対して浮上する。浮上用ガスG2は浮上用ガス排気口62から吸引される。局所成膜部40は、TFT基板10の厚みむらあるいは反りに追随して一定の浮上量Dで浮上し、TFT基板10と局所成膜部40との間隔の変動が防止される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
成膜用の基板を支持する載置台と、
前記載置台に支持された基板に向けてレーザ光を発生するレーザ光源と、
前記レーザ光を透過させるための窓を有し、前記載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部と、
前記基板上における前記レーザ光の照射位置に向けて成膜用の原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、
浮上用ガスにより前記局所成膜部を前記基板に対して浮上させる浮上機構と
を備えたことを特徴とするレーザCVD装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4K030AA12
, 4K030BA20
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA07
, 4K030HA11
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030KA37
, 4K030KA41
, 4K030KA46
, 4K030LA15
, 4K030LA18
