特許
J-GLOBAL ID:200903003516265846
電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-047820
公開番号(公開出願番号):特開2008-211069
出願日: 2007年02月27日
公開日(公表日): 2008年09月11日
要約:
【課題】電子デバイス基板の経時的な特性の劣化が抑制された電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を備え、特性の経時的劣化を抑制した電子デバイスおよび信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の電子デバイス用基板は、基板2上に設けられた無機酸化物を主材料として構成される陽極(電極)3と、陽極3と接触して設けられた正孔輸送層(キャリアを輸送する機能を有する層)4とを備え、正孔輸送層4は、スルホン酸基を有するキャリア輸送材料を主材料として構成される有機層に対して、キャリア輸送材料から、スルホン酸基の少なくとも一部を離脱させる脱スルホン酸化処理を施すことにより得られたものである。また、キャリア輸送材料としては、PEDOT/PSSを用いるのが好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に設けられた無機酸化物を主材料として構成される電極と、該電極に接触して設けられたキャリアを輸送する機能を有する層とを備え、
前記キャリアを輸送する機能を有する層は、スルホン酸基を有するキャリア輸送材料を主材料として構成される有機層に対して、前記キャリア輸送材料から、当該スルホン酸基の少なくとも一部を離脱させる脱スルホン酸化処理を施すことにより得られたものであることを特徴とする電子デバイス用基板。
IPC (1件):
FI (2件):
H05B33/22 D
, H05B33/14 A
Fターム (11件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107DD22
, 3K107DD46X
, 3K107DD71
, 3K107DD79
, 3K107FF14
, 3K107FF17
, 3K107GG26
, 3K107GG28
引用特許: