特許

J-GLOBAL ID：200903003540560239

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 河越 知也 ,  大谷 順 ,  日高 秀人
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276478
公開番号（公開出願番号）：特開2007-087524
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】 トグル方式によるデータ書き込み時の消費電流を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、互いに逆方向に磁化される磁性体層101,103と、磁性体層101,103の間に形成される非磁性体層102とを有する自由層110と、固定方向の磁化M3を有する固定層105と、磁性体層103と固定層105との間に形成されるトンネル層104とを含む磁気記憶部Sと、データ書き込み時、デジット線DLにデジット線電流IDLを流すことにより自由層110の磁化M1,M2に作用する磁場Hxを発生するデジット線駆動回路3と、データ書き込み時、磁性体層101および固定層105間にスピン注入電流Ispを流すことにより、磁化M3と同じ方向または反対方向の力Pを磁化M1,M2に作用させる駆動回路20とを備える。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体記憶装置であって、 記憶データに応じて電気抵抗値が変化する磁気記憶部を備え、 前記磁気記憶部は、 互いに逆方向に磁化される第1の磁性体層および第2の磁性体層と、前記第1の磁性体層および前記第2の磁性体層の間に形成される第1の非磁性体層とを有する自由層と、 固定された磁化方向を有する第1の固定層と、 前記第2の磁性体層と、前記第1の固定層との間に形成される第2の非磁性体層とを含み、 前記不揮発性半導体記憶装置は、さらに、 データ書き込み時、第1の書き込み電流線に書き込み電流を流すことにより前記自由層の磁化に作用するデータ書き込み磁場を発生する第1の駆動回路と、 データ書き込み時、前記磁気記憶部の前記第1の磁性体層および前記第1の固定層間にスピン注入電流を流すことにより、前記第1の固定層の磁化方向と同じ方向または反対方向の力を前記自由層の磁化に作用させる第2の駆動回路とを備える不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C11/15 140 ,  G11C11/15 110 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA39 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA08 ,  5F083LA10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6545906号公報
  
• 米国特許第5695864号公報
  
• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203934   出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 不揮発性磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-345435   出願人：株式会社日立製作所