特許
J-GLOBAL ID：200903003540716697

半導体装置

発明者：
廣瀬 裕

廣瀬 裕 について

, 
上本 康裕

上本 康裕 について

, 
柳原 学

柳原 学 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-302452
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114795
出願日： 2004年10月18日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 III-V族窒化物半導体層をチャネル領域とする電界効果トランジスタにおけるオン抵抗の低減とドレイン耐圧の向上とを同時に実現できるようにする。 【解決手段】 半導体装置は、窒化ガリウムからなる動作層12と、該動作層12の上に形成された窒化アルミニウムガリウムからなる障壁層13と、該障壁層13の上に互いに間隔をおいて形成されたソース電極14及びドレイン電極15と、両電極14、15の間に形成されたゲート電極とを有している。障壁層13におけるソース電極14とゲート電極16との間の領域には高濃度のn型不純物領域13aが形成されており、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16が互いに等電位である状態において、障壁層13におけるソース電極14とゲート電極16との間の電子濃度は、ドレイン電極15とゲート電極16との間の電子濃度よりも高くなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体からなる半導体層と、 前記半導体層の上に互いに間隔をおいて形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記半導体層の上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域に形成されたゲート電極とを備え、 前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ゲート電極が互いに等電位である状態において、前記半導体層における前記ソース電極と前記ゲート電極との間の電子濃度は、前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の電子濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/06
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F
Fターム (24件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GR11 ,  5F102GR13 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F102HC07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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