特許
J-GLOBAL ID:200903003543621441

電子回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武 顕次郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-216223
公開番号(公開出願番号):特開2002-033559
出願日: 2000年07月17日
公開日(公表日): 2002年01月31日
要約:
【要約】【課題】 キャパシタ素子のブレイクダウン電圧の低下を防止し、高周波特性にも優れた電子回路基板を提供すること。【解決手段】 アルミナ基板1の表面にポジ型のフォトレジストをスピンコートし、これを露光/現像して絶縁層6を部分的に形成した後、この絶縁層6上に下部電極7と誘電体層8および上部電極9が順次積層されたキャパシタ素子2を薄膜形成し、アルミナ基板1の表面に抵抗素子3とインダクタ素子4および伝送線路5をそれぞれ薄膜形成した。
請求項(抜粋):
アルミナ基板の表面に部分的に絶縁層を形成し、この絶縁層上に下部電極と誘電体層および上部電極が順次積層されたキャパシタ素子を薄膜状に形成すると共に、前記アルミナ基板の表面に少なくともインダクタ素子と伝送線路をそれぞれ薄膜状に形成したことを特徴とする電子回路基板。
IPC (4件):
H05K 1/16 ,  H01C 7/00 ,  H01F 17/00 ,  H01G 4/33
FI (5件):
H05K 1/16 D ,  H05K 1/16 C ,  H01C 7/00 C ,  H01F 17/00 B ,  H01G 4/06 102
Fターム (28件):
4E351AA07 ,  4E351BB03 ,  4E351BB05 ,  4E351BB09 ,  4E351BB32 ,  4E351CC03 ,  4E351CC16 ,  4E351DD01 ,  4E351GG07 ,  5E033AA05 ,  5E033AA08 ,  5E070AA01 ,  5E070AB03 ,  5E070AB07 ,  5E070CB12 ,  5E082AB03 ,  5E082BB05 ,  5E082BC35 ,  5E082EE05 ,  5E082EE18 ,  5E082EE19 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG22 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082KK01
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 特開昭56-037692
  • 半導体装置用回路基板及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-353399   出願人:新光電気工業株式会社
  • 特開昭50-084866
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