特許
J-GLOBAL ID：200903003566523366

反射防止膜成膜方法および太陽電池

発明者：
猿渡 哲也

猿渡 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-003036
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164515
出願日： 2008年01月10日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、高いH2パッシベーション効果を得る。【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、基板の受光面側に、膜質を異にする窒化シリコン膜を表面波プラズマを用いて積層して、多層の反射防止膜とするものである。積層する窒化シリコン膜の内で、基板側の第1の層をSi-H基が高い膜質とし、外側の第2の層を膜密度が高い膜質とする。第1の層の窒化シリコン膜のSi-H基の含有の程度を高めることによってH2が窒化シリコン膜から脱離し難くし、また、第2の層の窒化シリコン膜の膜密度を高くすることによってH2の外部への放出を防ぐCAP効果を高めることによって、窒化シリコン膜の反射防止膜のH2パッシベーションを高める。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
太陽電池の半導体表面に窒化シリコン(SiNx)膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、 前記半導体表面に表面波プラズマ処理により、膜質を異にする窒化シリコン(SiNx)膜を積層して成膜することを特徴とする太陽電池の反射防止膜成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L31/04 F ,  C23C16/34
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030HA01 ,  4K030LA16 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051EA18 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA25 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA05
引用特許：
出願人引用 (3件)

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