特許
J-GLOBAL ID：200903067989825030

太陽電池、その製造方法および反射防止膜成膜装置

発明者：
猿渡 哲也

猿渡 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-154795
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340358
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 反射防止膜としてH2パッシベーション効果の高い窒化シリコン膜を有する太陽電池を提供する。【解決手段】 シリコン基板からなる太陽電池の反射防止膜として窒化シリコン膜を用いる。窒化シリコン膜の形成は、反射防止膜形成装置301によって行われる。チャンバー302に搬送されたシリコン基板は搬送室305に格納された搬送装置によって表面波励起プラズマCVD装置303に搬送される。そして、表面波励起プラズマCVD装置303によって窒化シリコン膜が形成される。次に搬送室305に格納された搬送装置によって加熱室304に搬送される。そして加熱室304においてランプヒータにより水素雰囲気中で熱処理がなされる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
結晶性シリコン基板の受光面側に窒化シリコン膜の反射防止膜を形成して成る太陽電池の製造方法において、 前記窒化シリコン膜を高密度プラズマCVD法により形成する成膜工程と、 前記窒化シリコン膜を水素を含む雰囲気中で熱処理する熱処理工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L31/04 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318
FI (3件)：
H01L31/04 F ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 B
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA16 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA20 ,  5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 太陽電池モジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-104222   出願人：三洋電機株式会社
  • 太陽電池素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-067444   出願人：京セラ株式会社
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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