特許
J-GLOBAL ID：200903045533888789
太陽電池素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-067444
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273382
出願日： 2002年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 高特性が得られる太陽電池を安価に製造することを目的とする。【解決手段】 微細な突起2を多数有し、一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板1の表面側に逆導電型半導体不純物3を含有させると共に、表面にパッシベ-ション膜5を形成した太陽電池素子において、上記パッシベ-ション膜5における32°Cのフッ化水素46%含有のフッ化水素酸:水=1:2の水溶液を用いたときのエッチングレートが350Å/min以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
微細な突起を多数有し、一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、表面にパッシベ-ション膜を形成した太陽電池素子において、前記パッシベ-ション膜における32°Cのフッ化水素46%含有のフッ化水素酸:水=1:2の水溶液を用いたときのエッチングレートが350Å/min以下であることを特徴とする太陽電池素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 F
, H01L 31/04 A
5F051AA03
, 5F051CB05
, 5F051CB12
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB22
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051FA10
, 5F051GA14
, 5F051HA03
, 5F051HA20
